有机电化学晶体管 | Nature Electronics

近日，英国 肯塔基大学（University of Kentucky）Vianna N. Le，Alexandra F. Paterson等，在Nature Electronics上发文，报道了在溶剂中的溶解氧，可以作为有机混合离子-电子导体OMIEC和有机电化学晶体管OECT中的p型掺杂剂，通过填充阱traps,，以实现有效的电化学掺杂。

为了解决氧的存在同时危及有机电化学晶体管OECT稳定性的事实，还开发了一种两步策略，首先使溶剂脱气degas，然后使用化学掺杂剂，以可控的方式掺杂有机混合离子-电子导体OMIEC。这种方法，提高了p型和n型有机电化学晶体管OECT的稳定性，同时增加了开关比，调整了阈值电压，并增强了跨导transconductance、电荷载流子迁移率和µC*乘积（即迁移率和体积电容的乘积）。（注：Transconductance 跨导，是电子元件的一项属性。电导是电阻的倒数，而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间比值）

Improved organic electrochemical transistor stability using solvent degassing and chemical doping.利用溶剂脱气和化学掺杂，提高有机电化学晶体管organic electrochemical transistors，OECTs的稳定性。

图1: 在溶剂中的溶解氧是有机混合导体中不受控制的p-掺杂剂。

图2: 溶剂脱气和化学P掺杂，对有机电化学晶体管organic electrochemical transistors，OECTs的影响。

图3: 化学p掺杂影响p(g3T2)结构。

图4: 具有化学p-掺杂的溶剂脱气，提升了有机电化学晶体管OECT的稳定性。