减少环境影响是钙钛矿光电器件面临的一个关键挑战,因为大多数高性能器件都基于潜在有毒的卤化铅钙钛矿。对于光伏太阳能电池,锡铅(Sn–Pb)钙钛矿材料为降低毒性提供了一种很有前景的解决方案。然而,Sn–Pb钙钛矿通常表现出较低的发光效率,不适合用于发光应用。
在这里,浙江大学的研究人员展示了高发光锗铅(Ge–Pb)钙钛矿薄膜,其光致发光量子效率(PLQE)高达~71%,与类似制备的无Ge、Pb基钙钛矿薄膜相比,显示出~34%的显著相对改善。在最初演示的Ge–Pb钙钛矿型LED中,作者在高亮度(~1900 cd m−2)下实现了高达~13.1%的外部量子效率(EQE),这是降低钙钛矿型LED毒性的一个进步。该发现为开发基于钙钛矿半导体的环保发光技术提供了新的解决方案。相关论文以题目为“Germanium-lead perovskite light-emitting diodes”发表在Nature Communication期刊上。