Nano Lett.: 用于太阳能电池的InP纳米线阵列的晶圆级合成和光学表征

       纳米线太阳能电池有可能达到与III-V太阳能电池相同的世界纪录效率。实现太阳能收集，需要大面积的纳米线太阳能电池。近日，隆德大学Magnus T. Borgström等报道了在 2 英寸晶圆上合成外延 InP 纳米线阵列。

       作者在同一晶片上定义了五个具有不同纳米线直径的阵列区域。然后使用光致发光映射器对样品进行光学表征，并将其与均匀曝光的参考晶片进行比较。

        作者通过稳态和时间分辨光致发光图研究了材料的质量。通过反射光谱图，作者同时提取了整个晶片上纳米线的直径和长度。

       该工作报道的大规模纳米线的合成对基于纳米线的太阳能电池的升级至关重要，并且所展示的晶圆级表征方法将是制造过程中质量控制的核心。

        Lukas Hrachowina, et al. Wafer-Scale Synthesis and Optical Characterization of InP Nanowire Arrays for Solar Cells. Nano Lett., 2021DOI: 10.1021/acs.nanolett.1c02542 https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.1c02542