利用光电-压电效应实现微机械光电二极管的光驱动

       硅光子技术已经发展成为一种成熟的技术，可以通过不同材料的异构或混合集成，在芯片上产生、调制和检测光信号。许多集成器件已经使用硅光子学进行了演示，包括硅基激光器。在过去的20年里，它们已经从学术研究转移到数据中心互连中的大规模商业部署。第二场革命正在进行中，光子集成电路(PICs)的光非线性，通过连续波激光器获得的光非线性可以使新器件成为可能，其中克尔频率梳是研究过程之一。耗散克尔孤子频率梳(“孤子微梳”)构成了太赫兹到微波领域的宽带和重复频率的芯片级频率梳，为航空系统或空间的各种应用提供了一条高度紧凑的频率梳的路径。微梳与晶片规模的制造兼容，以及与III-V/Si激光器的混合集成，并且已经被用于各种系统级的演示，包括相干电信、天文光谱仪校准、超快测距、大规模平行相干LiDAR、频率合成器、原子钟结构和神经形态计算。许多用于微梳的集成非线性光子平台已经出现，从氮化硅、金刚石、钽和碳化硅到绝缘子上的高度非线性砷化铝镓和磷化镓，以及电光平台，如LiNbO3和AlN。

       近日，来自瑞士洛桑联邦理工学院物理研究所的Junqiu Liu等人演示了一种满足晶圆级产量、性能和长度尺度的所有要求的制造技术。该氮化硅制造技术基于光子大马士革工艺，使用标准CMOS制造技术，如DUV步进光刻、干蚀刻和低压化学气相沉积(LPCVD)。在四英寸的晶圆上对数万个光学共振的统计分析，确定光子微谐振器平均Q因子超过30×106，对应于1.0dB m−1光损失。相关工作发表在《Nature communications》上。（郑江坡）

       文章链接：https://doi.org/10.1038/s41467-021-21973-z