钙钛矿发光二极管(PeLEDs)具有宽色域和真实色彩表现的特点,因此被认为是高质量照明和显示器的特别有吸引力的选择。但是,大多数PeLED是由含有高浓度缺陷(包括点缺陷和扩展缺陷)的多晶钙钛矿薄膜制成的。减少和减轻钙钛矿材料中的非辐射复合缺陷仍然是在发光应用中实现高性能的关键先决条件。
中国科学院半导体研究所游经碧和张兴旺等人引入乙氧基化三羟甲基丙烷三丙烯酸酯(ETPTA)作为溶解在抗溶剂中的功能添加剂,以在旋涂成膜过程中钝化表面缺陷和体积缺陷。
ETPTA可以通过钝化和/或抑制缺陷来有效地降低电荷俘获状态。基于ETPTA钝化的钙钛矿薄膜的LED使该器件实现了22.49%的最大外量子效率(EQE)。这是迄今为止最高效率的绿色PeLED。此外,与对照样品相比,基于ETPTA钝化的绿色PeLED的工作时间的半衰期(T50)增加了三倍。这些发现为制造高效钙钛矿多晶膜及其光电器件提供了一种简单有效的策略。
Chu, Z., Ye, Q., Zhao, Y., Ma, F., Yin, Z., Zhang, X., You, J., Perovskite Light‐Emitting Diodes with External Quantum Efficiency Exceeding 22% via Small‐Molecule Passivation. Adv. Mater. 2021, 2007169. https://doi.org/10.1002/adma.202007169