光学频率下高阶拓扑光子态的近场表征

       近日，来自美国纽约市立大学工程学院电气工程系的Anton Vakulenko等人提出了一种新的机制来建立显示两种类型的HOTI态的全介电红外HOTI亚表面，该机制由伴随拓扑Wannier型极化出现的拓扑转变支持。他们进行了两种近场实验研究：1)固体浸没光谱学和2)使用散射扫描近场光学显微镜的近场成像，以直接观察两种类型的拓扑转变和HOTI态的出现。结果表明，近场剖面显示了Wannier中心在拓扑跃迁中的位移，导致了拓扑偶极极化和拓扑边界态的出现。所提出的全介质HOTI亚表面提供了一种将光场限制在微尺度和纳米尺度拓扑腔中的新方法，从而为实现新的纳米光子技术铺平了道路。相关研究工作发表在《Advanced Materials》上。（詹若男）

       文章链接：Anton Vakulenko et al. Near-Field Characterization of Higher-Order Topological Photonic States at Optical Frequencies. Adv. Mater. 2021, 2004376 DOI: 10.1002/adma.202004376