光诱导的卤化物偏析导致混合卤化物钙钛矿材料中的能带调控受到限制,有鉴于此,埃尔朗根-纽伦堡大学Christoph J. Brabec、Yicheng Zhao,图宾根大学Dai Zhang等报道了MAPb(I1-xBrx)3体系中光激发作用中卤化物分离现象。在Br浓度低于50 %,偏析是在应力作用中引发;当Br浓度高于50 %,偏析是自发进行的。
单晶状态的CH3NH3Pb(I0.65Br0.35)3(35 % Br)在无外加单轴压力的条件中没有发生偏析现象,仅仅当施加单轴应力的时候才能发生偏析现象。此外,生长在晶格不匹配的基底(比如CaF2)上,由于不均匀分布的应变,会导致不均匀偏析现象。
通过扫描探针显微镜对这种偏析现象表征,发现多晶薄膜中同样存在此过程。Br含量达到35 %的多晶薄膜中,偏析现象主要分布在晶界附近,这是因为边界上存在应力;当多晶薄膜中的Br含量达到65 %,偏析现象在整个薄膜中都能发生。
在35 % Br/45 % Br含量的多晶薄膜中,通过KI等添加剂、或者沉积在合适的基底(SiO2上),应力导致的偏析现象能够得以消除。
参考文献 Zhao, Y., Miao, P., Elia, J. et al. Strain-activated light-induced halide segregation in mixed-halide perovskite solids, Nature Commun 2020, 11, 6328 DOI: 10.1038/s41467-020-20066-7
https://www.nature.com/articles/s41467-020-20066-7