在过去二十年中,人们对半导体纳米线的光、电和机械等基本性能进行了详细研究,设想将半导体纳米线用作纳米光子和纳米电子器件的基础材料。因此,许多基于纳米线的设备都是基于p–n结原理,例如发光二极管(LED),太阳能电池和检测器。最近,有学者建立了低成本和高通量的轴向GaAs纳米线p–n结在航空光学领域的联系,证明了这种纳米线器件的工业生产的巨大潜力但是,技术应用要求不仅要具有成本效益,而且要对基本性能有深入的了解,还要保持设备的稳定性和可靠性。到目前为止,纳米级的装置依旧在长期稳定性和可靠性方面充满挑战。
近日,德国耶拿大学弗里德里希·席勒大学固体物理研究所的团队报道了一个轴向p-n结GaAs纳米线X射线探测器,与微米级的传统探测器相比,该探测器能够实现超高的空间分辨率(~200 nm)。基于聚焦同步加速器X射线纳米束操作中的X射线分析技术可以探测内部电场并观察纳米级的热电子效应。最后,该团队研究了器件的稳定性,并在p-n结的n掺杂段中发现了选择性热电子诱导的氧化。他们发现并证明了p-n结纳米线的功能和局限性,为进一步改进和最终集成到片上设备提供了见识。相关研究成果发表在《Nature Communications》上。(钟雨豪)
文章链接:Zapf, M., Ritzer, M., Liborius, L. et al. Hot electrons in a nanowire hard X-ray detector. Nat Commun 11, 4729 (2020).
https://doi.org/10.1038/s41467-020-18384-x.