普渡团队获得原子级薄膜材料专利

　　普渡大学(Purdue University)的一个研究小组获得了2D纳米材料的专利，这种材料有潜力应用于纳米电子、量子器件以及用于国防工业和生化传感器的红外技术上。该材料源自稀有元素碲（Te），它的2D结构薄而耐用，而且有着独特的性质。

　　

　　普渡大学工业工程助理教授Wenzhuo Wu说：“我们的技术生产原子级的 3D 碲,可用于高性能设备。每个器件所需的量非常小，但是附加值是巨大的。” 碲在地壳中虽然并不丰富，但Wu说通过他们的方法只需要少量的碲便可进行合成。纳米材料tellurene在空气中是稳定的，而且可以独立生长 (不需要其它材料的帮助)。 Wu说：“利用合成的2D材料，最新的研究进展已经开发出新的电子和光子器件模型。它们具有原子级的厚度,但是长度和宽度要比薄膜厚度大的多。我们的解决方案有助于克服已知 2D 材料的问题，以满足纳米电子或中红外集成光子学等新兴领域的要求。”

　　

　　Tellurene 本身具有多种潜在应用，包括高速电子、可穿戴传感器、量子器件和红外技术。Wu说，他和学生在实验室做实验时偶然发现了这个方法。自发现tellurene以来, Wu及其团队已发表了12篇论文,内容包括tellurene的特性以及它在纳米电子学、红外传感器、光子器件和其它技术方面的应用。