
全无机钙钛矿量子点CsPbX3(X = Cl, Br, I)因其具有良好的光学性能,在发光二极管(LED)领域展现出良好的应用前景;然而,基于CsPbX3量子点LED器件性能往往出现效率滚降现象。
鉴于此,吉林大学郑伟涛教授和香港城市大学AndreyL. Rogach教授对产生该现象的原因及其解决策略进行了展望。作者对该现象的产生原因进行深入的剖析,主要是由电荷注入不平衡以及CsPbX3量子点较低的离子迁移活化能引起;并提出了原子晶体壳层包覆的策略,以CsPbI3量子点为拟研究对象,对其壳层结构的设计及其合成过程中动力学和热力学等核心要素的调控进行详细阐述。
该策略既可以调节电荷注入,同时可以抑制CsPbX3量子点离子迁移,从而有效降低效率滚降,提升LED的性能。
Zhang X., Yin W. et al. Perovskite quantum dots with atomic crystal shells for light-emitting diodes with low efficiency roll-off,ACS Energy Lett. 2020, 5, XXX, 2927–2934.DOI: 10.1021/acsenergylett.0c01560
https://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acsenergylett.0c01560