客服热线:17600109315

曾海波&宋继中Nat. Commun.: 双边界面钝化,提高钙钛矿QLED性能!

2020-08-10 16:31:16浏览:495来源:知光谷   

钙钛矿型量子点发光二极管(QLEDs)具有广色域、色彩真实表现的特点,被认为是高质量照明和显示的候选材料。然而,在量子点(QD)膜组装过程中容易产生大量缺陷,这将严重影响载流子注入,传输和复合,并最终降低QLED性能。

       近日,南京理工大学曾海波和宋继中等人报道了一种通过用氧化膦分子(二苯基氧化膦-4-(三苯基甲硅烷基)苯基(TSPO1))钝化QD膜的顶部和底部界面的双边钝化策略,从而极大地提高了钙钛矿QLED的效率和稳定性。

采用密度泛函理论(DFT)计算揭示了缺陷陷阱的减少和非辐射复合。通过瞬态TA谱分析和空间电荷限制电流方法进一步验证了缺陷的减少,激子复合效率的提高体现在量子点薄膜的量子阱密度增加(从43%提高到79%)和电光转换效率的提高(量子发光二极管的电流效率从20提高到75 cd A-1,最大量子效率从7.7%提高到18.7%)。通过单面钝化和双面钝化的对比实验,证明了双面钝化的必要性。

除TSPO1外,该体系中使用的其他一系列有机分子也取得了令人印象深刻的结果,显示了这种双边钝化方法的普适性。同时,由于钙钛矿分子与钙钛矿的强相互作用和钙钛矿与CTL之间的阻挡作用,双边钝化的分子使薄膜和发光二极管具有更高的稳定性。例如,观察到T50的工作寿命提高了20倍(从0.8 h增加到15.8 h)。此外,双向钝化有望抑制量子点薄膜和电荷传输层之间的界面缺陷。这一发现突显了在QD薄膜的两个界面上进行钝化对于构建高性能的钙钛型QLED以及其他基于QD的光电子器件(包括太阳能电池和光电探测器)的重要性。

Xu, L., Li, J., Cai, B. et al. A bilateral interfacial passivation strategy promoting efficiency and stability of perovskite quantum dot light-emitting diodes. Nat Commun 11, 3902 (2020) DOI:10.1038/s41467-020-17633-3
       https://doi.org/10.1038/s41467-020-17633-3

(责任编辑:CHINALASER)
下一篇:

类脑光子芯片重要里程碑:时域可编程全息衍射神经网络

上一篇:

东京工业大学AM:高效稳定蓝光!Cs5Cu3Cl6I2

  • 信息二维码

    手机看新闻

  • 分享到
打赏
免责声明
• 
此文内容为本网站刊发或转载企业宣传资讯,仅代表作者个人观点,与本网无关。仅供读者参考,并请自行核实相关内容。涉及到版权或其他问题,请及时联系我们 189888977@qq.com